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[한국특허] 산화알루미늄/산화하프늄 복합유전막을 가지는 반도체메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법
Capacitor of semiconductor memory device havingcomposite AI2O2/HfO2 dielectric layer andmanufacturing method thereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/04
출원번호 10-2002-0069997 (2002-11-12)
공개번호 10-2004-0041896 (2004-05-20)
등록번호 10-0475116-0000 (2005-02-24)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020069997
발명자 / 주소
  • 박기연 / 경기도용인시기흥읍농서리산*-*기숙사
  • 김성태 / 서울특별시서초구서초*동현대아파트**-***
  • 김영선 / 경기도수원시팔달구영통동***-*살구골성지아파트***-****
  • 박인성 / 서울특별시서초구서초*동****-*런던빌라***호
  • 여재현 / 서울특별시서초구양재동**-**번지*층
  • 이윤정 / 서울특별시관악구남현동****-**
  • 임기빈 / 경기도수원시권선구권선동****-*번지***호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 이영필 (LEE, Young Pil)
  • 서울 서초구 서초동 ****-* (리앤목 특허법인)
심사청구여부 있음 (2002-11-12)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

Al2O3 유전막/HfO2 유전막의 두께비가 1 이상인 Al2O3/HfO2 복합유전막을 가지는 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터는 하부 전극과, 상기 하부 전극 위에 차례로 형성된 Al2O3 유전막 및 HfO2 유전막을 포함하고 상기 Al2O3 유전막이 상기 HfO2 유전막의 두께와 같거나 큰 두께로 형성된 복합유전막과, 상기 복합유전막 위에 형성된 상부 전극을 포함한다. 상기 Al2O3 유전막은 30 ∼ 60Å의 두께로 형성되고, 상기 HfO2 유전막은 40Å 이하의 두께

대표청구항

하부 전극과, 상기 하부 전극 위에 차례로 형성된 Al2O3 유전막 및 HfO2 유전막을 포함하고, 상기 Al2O3 유전막이 상기 HfO2 유전막의 두께와 같거나 큰 두께로 형성된 복합유전막과, 상기 복합유전막 위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 커패시터.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 다층 유전체 스택 및 그의 제조방법 | 마얀준, 오노요시
    상세보기
  2. [미국] Dielectric interface films and methods therefor | Haukka, Suvi P., Skarp, Jarmo P., Tuominen, Marko P.
    상세보기

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