IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/공개특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2001-7012942
(2001-10-11)
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공개번호 |
10-2002-0011379
(2002-02-08)
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국제출원번호 |
PCT/DE2000/001105
(2000-04-11)
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국제공개번호 |
WO2000062056
(2000-10-19)
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번역문제출일자 |
2001-10-11
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020017012942
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발명자
/ 주소 |
- 뮐러,게르하르트
/ 독일연방공화국,데-*****그라핑,주데텐슈트라쎄***
- 베커,토마스
/ 독일연방공화국,데-*****오토브룬,푸쪼브룬너슈트라쎄**
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출원인 / 주소 |
- 이에이디에스 도이치란트 게엠베하 / 독일, 오토번 *****, 윌리-메세르쉬미트-스트라쎄
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대리인 / 주소 |
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강명구
(KANG, Myung Koo)
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서울특별시 종로구 당주동 *번지 로얄빌딩 ****호 (강명구 특허법률사무소)
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심사진행상태 |
취하(심사미청구) |
법적상태 |
취하 |
초록
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예컨대 CO, NOx, O3 등을 측정하기 위한 반도체 기체 센서는, 기체 농도를 측정하기 위해 가열 가능한 센서 소자(1) 및 그 내부 공간(20)에 센서 소자가 배치되는 하우징(2)을 갖추고 있다. 하우징(2)은 내부 공간(20;50)을 외부 공간과 연결시키는 제 1 개구(3)를 갖고 있다. 하우징(2) 내에는, 기체류가 대류에 의해 제 2 개구(4a,4b)로부터 제 1 개구(3)로 구동 이동되도록 제 1 개구(3) 보다 더 낮게 위치하는 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구(4a,4b)가 배치되어 있다. 이 반도체 기체 센서는 규
예컨대 CO, NOx, O3 등을 측정하기 위한 반도체 기체 센서는, 기체 농도를 측정하기 위해 가열 가능한 센서 소자(1) 및 그 내부 공간(20)에 센서 소자가 배치되는 하우징(2)을 갖추고 있다. 하우징(2)은 내부 공간(20;50)을 외부 공간과 연결시키는 제 1 개구(3)를 갖고 있다. 하우징(2) 내에는, 기체류가 대류에 의해 제 2 개구(4a,4b)로부터 제 1 개구(3)로 구동 이동되도록 제 1 개구(3) 보다 더 낮게 위치하는 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구(4a,4b)가 배치되어 있다. 이 반도체 기체 센서는 규소로 마이크로 기법에 의해 제조된다.
대표청구항
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기체 농도를 측정하기 위해 가열 가능한 센서 소자(1;10) 및 그 내부 공간(20;50)에 센서 소자가 배치되는 하우징(2;40)을 갖추고 있고, 하우징(2;40)은 내부 공간(20;50)을 외부 공간과 연결시키는 제 1 개구(3;30)를 갖고 있는 반도체 기체 센서에 있어서, 하우징(2;40) 내에는 제 1 개구(3;30) 보다 더 낮게 위치하는 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구(4a,4b; 60a,60b)가 배치되어 있고, 센서 소자(1;10)의 가열에 의한 작동 중 굴뚝 작용(통풍 작용)을 발생시킬 수 있도록 제 1 개구(3
기체 농도를 측정하기 위해 가열 가능한 센서 소자(1;10) 및 그 내부 공간(20;50)에 센서 소자가 배치되는 하우징(2;40)을 갖추고 있고, 하우징(2;40)은 내부 공간(20;50)을 외부 공간과 연결시키는 제 1 개구(3;30)를 갖고 있는 반도체 기체 센서에 있어서, 하우징(2;40) 내에는 제 1 개구(3;30) 보다 더 낮게 위치하는 하나 또는 둘 이상의 제 2 개구(4a,4b; 60a,60b)가 배치되어 있고, 센서 소자(1;10)의 가열에 의한 작동 중 굴뚝 작용(통풍 작용)을 발생시킬 수 있도록 제 1 개구(3;30)는 가열 가능한 센서 소자(1;10) 상부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.제 1 항에 있어서, 제 2 개구(4a,4b)는 하우징(2)의 하부 부분에서 하우징의 측벽에 배치되어 있고 제 1 개구(3)는 하우징(2)의 상측(21)에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.제 1 항 또는 2 항에 있어서, 제 2 개구(4a,4b; 60a,60b)는 센서 소자(1;10)와 같은 높이 또는 그 보다 낮은 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.상기 각 항 중의 한 항에 있어서, 하우징(40)은 마이크로 기법으로 규소로 제조되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.상기 각 항 중의 어느 한 항에 있어서, 센서 소자(10)는 서로 상하로 위치하는 두 개의 규소 홈통(40a;40b) 내에 통합되어 있고, 홈통들의 대향하는 경계면들 사이에 제 2 개구(60a,60b)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.제 5 항에 있어서, 제 1 개구(30)는 센서 소자(10)의 상부 상측에 위치하는 규소 홈통(40b)에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.제 5 항 또는 6 항에 있어서, 제 2 개구(60a,60b)는 규소 홈통들(40a,40b) 사이에 위치하는 유로에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.상기 각 항 중의 한 항에 있어서, 기체 유입을 가능하게 하는 제 2 개구(4a,4b)에는, 관류 가능 소자(5a,5b)가 기체의 여과 및/또는 반응전환을 위해 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.제 8 항에 있어서, 관류 가능 소자(5a,5b)는 그의 내표면에, 관류하는 기체가 센서 소자(10)에 도달하기 전에 화학적 및/또는 촉매적으로 반응전환 할 수 있도록 하는 재료를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기체 센서.하우징(2;40) 내에 배치된 가열된 센서 소자(1;10)가 센서 소자(1;10) 위에 있는 기체를 가온시키고 굴뚝 모양으로 기체류를 구동하고, 그래서 기체는 하부로부터 상부로 하우징(2;40)을 관통해 흐르면서 센서 소자(1;10)를 지나 이동하고 그 센서 소자는 기체 농도에 의존하여 측정 신호를 발생하는, 반도체 기체 센서에 의해 기체 농도를 측정하는 방법.제 10 항에 있어서, 기체의 여과 및/또는 반응전환은 기체가 센서 소자(1;10)와 접촉하기 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.<
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