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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2003-0074318 (2003-10-23) |
공개번호 | 10-2005-0038988 (2005-04-29) |
등록번호 | 10-0534203-0000 (2005-12-01) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030074318 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-10-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 기체 센서의 제조방법은 센서용 전극 패턴을 새롭게 설계하는 단계(A)와, 탄소나노튜브를 전극 패턴 위에 떨어뜨리고 인접한 두 전극 사이로 수평 이동시키는 단계(B)를 포함하며, 단계(B)는 전극 패턴위에 탄소나노튜브를 떨어뜨려 일정시간 정지 상태로 유지하는 단계와, 500RPM 이상의 고속으로 탄소나노튜브가 놓인 전극 패턴을 회전시켜 나노튜브가 원심력을 받도록 하는 단계와, 메탄올을 이용하여 불순물 나노입자와 전극 패턴에 놓이지 못한 잔류 나노튜브를 제거하여 전극 패턴을 세정하는 단계를
일정한 두께의 실리콘 산화막이 증착되어 있는 실리콘 기판 위에 전극 패턴을 형성하는 단계|상기 전극 패턴 위에 탄소나노튜브가 들어있는 액상 혼합물을 떨어뜨린 후 일정시간 정지상태로 유지하는 단계|탄소나노튜브가 놓여져 있는 전극 패턴을 갖는 기판 전체를 일정 속도로 회전시켜 탄소나노튜브가 원심력을 받아 수평이동되면서 인접한 두 전극 사이로 위치되어 두 전극을 연결하는 단계|를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 제조방법.청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서는 정사각형의 기판 위에 상하
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