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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2005-0053592 (2005-06-21) |
등록번호 | 10-0654890-0000 (2006-11-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050053592 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-06-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 박막형 기체 센서의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 전극 및 발열 물질의 박막을 형성하는 단계 및 상기 전극을 포함하는 기판 상에 산화텅스텐(WO3) 박막을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 산화텅스텐(WO3) 박막의 증착 전후, 또는 증착 도중에 산화니켈(NIO)을 0.1 내지 5MOL%로 증착하여 500 내지 600℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 박막형 기체 센서의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 소형화, 저전력의 이점을 갖고 있는 박막형 기체 센서에 있어서, 감지 물질로 산화텅스텐(WO3) 박막 증착시 산화니켈
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