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[한국특허] 반도체 장치의 커패시터, 그 제조방법 및 상기 커패시터를채용하고 있는 전자 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/04
출원번호 10-2002-0010982 (2002-02-28)
공개번호 10-2003-0071328 (2003-09-03)
등록번호 10-0455287-0000 (2004-10-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020010982
발명자 / 주소
  • 이정현 / 경기도용인시수지읍죽전리동성*차아파트***동****호
  • 민요셉 / 서울특별시동작구흑석*동***번지**/*
  • 조영진 / 인천광역시부평구산곡*동***-***삼보아파트가동***호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 이해영; 이영필 (LEE, HAE-YOUNG)
  • 서울 서초구 서초동****-*(리앤목 특허법인); 서울 서초구 서초동 ****-* (리앤목 특허법인)
심사청구여부 있음 (2002-02-28)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 반도체 장치의 커패시터, 그 제조방법 및 상기 커패시터를 채용한 전자 소자를 제공한다. 상기 커패시터는 백금족 원소로 이루어진 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 형성된 유전체 박막; 및 상기 하부전극과 유전체 박막 사이에 형성되며, 3족, 4족 또는 13족 금속 산화물로 이루어진 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 커패시터는, 유전체 박막 형성시 O3와 같은 강한 산화제를 이용하여 원자층 증착을 실시하여도 하부전극인 루테늄 전극의 산화를 억제할 수 있어서 이로 인한 전극의 변형 및 유

대표청구항

백금족 원소로 이루어진 상부전극 및 하부전극; 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 형성된 유전체 박막; 및상기 하부전극과 유전체 박막 사이에 형성되며, 3족, 4족 또는 13족 금속 산화물로 이루어진 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 이중 유전막을 가지는 고유전율 커패시터 및 그제조방법 | 강창석
    상세보기
  2. [한국] 원자층 증착 캐패시터 제조방법 및 장치 | 박홍배, 김영관
    상세보기

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