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[한국특허] 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01G-004/018
  • H01G-004/005
출원번호 10-2010-0046021 (2010-05-17)
공개번호 10-2010-0057772 (2010-06-01)
등록번호 10-1022770-0000 (2011-03-09)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100046021
발명자 / 주소
  • 이정현 / 경기도 수원시 영통구 영통동 동아아파트 ***-****
  • 서범석 / 경기도 용인시 수지구 상현*동 만현마을현대아이파크아파트**단지 ****-****
  • 민요셉 / 서울특별시 동작구 흑석*동 ***번지
  • 조영진 / 경기도 용인시 기흥구 서천동 ***번지 예현마을 현대홈타운 ***-***
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
심사청구여부 있음 (2010-06-16)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그

대표청구항

하부전극;상기 하부전극 상에 적층된 AHO((Alx,Hf1-x)Oy)막; 및 상기 AHO막 상에 형성된 상부전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 반도체 장치용 캐패시터 및 그 캐패시터용 유전체 층의 제조 방법 | 바흐호퍼 하랄트, 하네더 토마스 피터, 슈텡글 라인하르트, 헨라인 볼프강, 라이징어 한스
    상세보기
  2. [한국] 비휘발성 반도체 메모리 장치의 부유 트랩형 메모리 소자 | 이창현
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] Ｇｅ계 반도체층 상에 유전막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 | 박인성, 안진호, 최영재
    상세보기

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