[특허]캐패시터 구조체 형성 방법

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[한국특허] 캐패시터 구조체 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/205
출원번호	10-2002-0042763 (2002-07-20)
공개번호	10-2004-0008992 (2004-01-31)
등록번호	10-0468852-0000 (2005-01-20)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020020042763
발명자 / 주소	이정현 / 경기도수원시팔달구영통동동아아파트*-* 민요셉 / 서울특별시동작구흑석동번지/* 조영진 / 인천광역시부평구산곡동-삼보아파트가동**호
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소	이해영; 이영필 (LEE, HAE-YOUNG) 서울 서초구 서초동***-(리앤목 특허법인); 서울 서초구 서초동 ***- (리앤목 특허법인)
심사청구여부	있음 (2002-07-20)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록

유전막 증착방법이 개시된다. 개시된 유전막 증착 방법은, 기판상에 유전막을 증착하는 방법에 있어서, 기판과 유전막의 계면과, 유전막 사이의 계면에 하부 전극의 산화와 확산을 방지하는 산화방지막을 삽입하여 증착하는 것을 특징으로 한다. 저누설전류와 고정전용량을 가지는 커패시터를 구현할 수 있으며 격자상수를 조절하여 유전상수를 조절할 수 있어 대면적 기판에 고유전상수의 다층막구조를 구현할 수 있다.

대표청구항

기판상에 유전막을 증착하는 방법에 있어서,상기 기판과 유전막의 계면과, 유전막 사이의 계면에 산화방지막을 삽입하여 증착하는 것을 특징으로 하는 유전막 증착 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

[일본] MULTILAYERED DIELECTRIC STACK AND ITS METHOD | YAN-JUN MA, YOSHI ONO
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이 특허를 인용한 특허 (1)

[한국] 이종금속전극 커패시터를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 | 이종철, 임기빈, 최훈상, 정은애, 강상열
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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