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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2005-0063098 (2005-07-13) |
공개번호 | 10-2007-0008120 (2007-01-17) |
등록번호 | 10-1081854-0000 (2011-11-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050063098 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-07-13) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 실리콘 기판 상에 소자분리영역을 정의하는 패드 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패드 패턴이 형성된 결과물 전면에 소정 두께의 폴리실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘막을 수소 가스 분위기에서 어닐링하는 단계와, 상기 패드 패턴을 식각 마스크로 상기 기판을 소정 깊이 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치 내벽에 희생 산화막을 형성하는 단계 및 상기 희생 산화막이 형성된 결과물 전면에 갭필 산화막을 증착하여 상기 트렌치를 매립하는 단계를 포함하는 반도
실리콘 기판 상에 소자분리영역을 정의하는 패드 패턴을 형성하는 단계;상기 패드 패턴이 형성된 결과물 전면에 폴리실리콘막을 형성하는 단계;상기 폴리실리콘막을 수소 가스 분위기에서 어닐링하는 단계;상기 패드 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 폴리실리콘막과 함께 상기 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 내벽에 희생 산화막을 형성하는 단계; 및상기 희생 산화막이 형성된 결과물 전면에 갭필 산화막을 증착하여 상기 트렌치를 매립하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
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