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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0064796 (2006-07-11) |
공개번호 | 10-2007-0072334 (2007-07-04) |
등록번호 | 10-0787332-0000 (2007-12-12) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060064796 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-07-31) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 피식각층 상부에 실리콘(Si)계 화합물과 히드록시(hydroxyl) 화합물의 가교 중합체 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공하고, 이를 피식각층 상부에 형성하여 후속 식각 공정에 대한 하드마스크막으로 이용함으로써, 균일한 패턴을 형성하는 모든 반도체 소자의 제조 공정 시에 사용할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
(I) 하기 화학식 1의 실리콘계 화합물과 (II) 하기 화학식 2의 히드록시(HYDROXYL) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 가교 중합체:[화학식 1] [화학식 2] 상기 식에서,R1은 (CH2)KSI(OR')3이고, 이때 R'은 수소, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C10 알킬이며, K는 1 내지 10의 정수이고, M 은 0∼5의 정수이며, N은 1∼5의 정수이다.
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