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[한국특허] 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-007/075
  • G03F-007/004
출원번호 10-2006-0064796 (2006-07-11)
공개번호 10-2007-0072334 (2007-07-04)
등록번호 10-0787332-0000 (2007-12-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1020060064796
발명자 / 주소
  • 이근수 / 경기도 용인시 상갈리 *** 주공그린빌 ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 특허법인태평양; 이정훈 (Bae, Kim & Lee IP Group)
  • 서울 강남구 역삼동***-** 한국타이어빌딩; 서울 강남구 역삼동 ***-** 한국타이어빌딩*-*층(특허법인태평양)
심사청구여부 있음 (2006-07-31)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 피식각층 상부에 실리콘(Si)계 화합물과 히드록시(hydroxyl) 화합물의 가교 중합체 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공하고, 이를 피식각층 상부에 형성하여 후속 식각 공정에 대한 하드마스크막으로 이용함으로써, 균일한 패턴을 형성하는 모든 반도체 소자의 제조 공정 시에 사용할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

대표청구항

(I) 하기 화학식 1의 실리콘계 화합물과 (II) 하기 화학식 2의 히드록시(HYDROXYL) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 가교 중합체:[화학식 1] [화학식 2] 상기 식에서,R1은 (CH2)KSI(OR')3이고, 이때 R'은 수소, 직쇄 또는 측쇄의 C1∼C10 알킬이며, K는 1 내지 10의 정수이고, M 은 0∼5의 정수이며, N은 1∼5의 정수이다.

발명자의 다른 특허 :

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 반도체 제조 공정에 있어서 식각 패턴 신규 형성 방법 | 이수진, 김기홍, 이승훈, 이승현
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