풀러렌 유도체 및 가교제를 갖는, 스핀-온 하드마스크를 형성하기 위한 조성물이 본원에 개시 및 청구된다.하드마스크의 형성 방법이 또한 개시된다.
대표청구항▼
하드마스크 조성물로서, 하기 화학식(상기 식에서, n은 1 내지 12의 정수이고, Q는 60, 70, 76, 78, 80, 82, 84, 86, 90, 92, 94 또는 96개의 탄소 원자를 갖는 풀러렌이고, P는 4 내지 6개의 고리원을 갖는 단일의 비브릿징된(non-bridged) 고리, 또는 각각 4 내지 12개의 고리원을 갖는 2개 이상의 비브릿징된 융합된 고리를 포함함)에 의해 표현되는 1개 이상의 면외 고리(exohedral ring)를 갖는 1종 이상의 풀러렌 유도체를 포함하며, 2개 이상의 열 또는 촉매 반응성 기를
하드마스크 조성물로서, 하기 화학식(상기 식에서, n은 1 내지 12의 정수이고, Q는 60, 70, 76, 78, 80, 82, 84, 86, 90, 92, 94 또는 96개의 탄소 원자를 갖는 풀러렌이고, P는 4 내지 6개의 고리원을 갖는 단일의 비브릿징된(non-bridged) 고리, 또는 각각 4 내지 12개의 고리원을 갖는 2개 이상의 비브릿징된 융합된 고리를 포함함)에 의해 표현되는 1개 이상의 면외 고리(exohedral ring)를 갖는 1종 이상의 풀러렌 유도체를 포함하며, 2개 이상의 열 또는 촉매 반응성 기를 포함하는 가교제를 추가로 포함하고,상기 1개 이상의 면외 고리는 선택적으로(optionally) 적어도 1개의 헤테로원자를 함유할 수 있고, 상기 1개 이상의 면외 고리를 갖는 1종 이상의 풀러렌 유도체가 하기 화학식(상기 식에서, R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로, 에스테르, 알콜, 페놀, 아민, 아미드, 이미드, 또는 카복실산, 수소, 할로겐, C6-C20 아릴 기, C1-C20 알킬 기, 또는 C1-C20 알칼리성(alkaline) 기를 포함하는 치환기를 나타내고, R5 및 R6은 함께, 비브릿징된 고리 구조를 포함하거나, 또는 대안적으로, 독립적으로 에스테르, 알콜, 페놀, 아민, 아미드, 이미드, 또는 카복실산, 수소, 할로겐, C6-C20 아릴 기, C1-C20 알킬 기, 또는 C1-C20 알칼리성 기를 포함하는 치환기를 포함함)에 의해 표현되고,상기 1개 이상의 면외 고리를 갖는 1종 이상의 풀러렌 유도체가 블렌드를 포함하며, 상기 블렌드는, Q = 60 또는 70이고, n = 2 내지 8인 종(species)을 포함하는, 하드마스크 조성물.
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (2)
[한국]
레지스트 하층막 재료, 레지스트 하층막 형성 방법, 패턴 형성 방법, 및 풀러렌 유도체 |
와따나베, 다께루,
후지이, 도시히꼬,
긴쇼, 다께시,
오기하라, 츠또무
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