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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0083086 (2006-08-30) |
등록번호 | 10-0763691-0000 (2007-09-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060083086 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-08-30) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 금속전 유전체막(Pre-Metal Dielectric: PMD) PSG(Phosphorus silicate glass) 형성 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명에서는 PMD-PSG막 증착시 종래 SACVD 방식 대신 TEOS, TMP가 보다 안정적으로 공급되는 APCVD방식을 사용하여 PMD-PSG막을 증착시킴에 따라 초기 레이어의 유실이 없는 안정적인 PMD-PSG막 형성이 가능하며, PMD-PSG공정 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
APCVD 방식을 이용한 반도체 소자의 PMD-PSG막 형성방법으로서,(A)게이트가 형성된 반도체 웨이퍼를 다수의 인젝터로 구현되는 APCVD 장치로 인입시키는 단계와,(B)상기 APCVD 장치내 인입된 웨이퍼상으로 상기 PMD-PSG막 형성을 위한 P성분이 첨가된 산화제 가스를 플로우시키는 단계와,(C)상기 P성분의 산화제 가스와 오존의 결합을 통해 웨이퍼상 박막의 PMD-PSG막을 생성시키는 단계를 포함하는 APCVD 방식을 이용한 반도체소자의 PMD-PSG막 형성방법.
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