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ＡＰＣＶＤ 방식을 이용한 반도체소자의 ＰＳＤ-ＰＳＧ막형성방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/205
출원번호 10-2006-0083086 (2006-08-30)
등록번호 10-0763691-0000 (2007-09-27)
DOI http://doi.org/10.8080/1020060083086
발명자 / 주소
  • 김광수 / 인천 남동구 만수*동 **** 주공아파트 ****동 ***호
출원인 / 주소
  • 동부일렉트로닉스 주식회사 / 서울 강남구 대치동 ***-**
대리인 / 주소
  • 장성구; 김원준 (JANG, Seong Ku)
  • 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소); 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2006-08-30)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 반도체 소자의 금속전 유전체막(Pre-Metal Dielectric: PMD) PSG(Phosphorus silicate glass) 형성 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명에서는 PMD-PSG막 증착시 종래 SACVD 방식 대신 TEOS, TMP가 보다 안정적으로 공급되는 APCVD방식을 사용하여 PMD-PSG막을 증착시킴에 따라 초기 레이어의 유실이 없는 안정적인 PMD-PSG막 형성이 가능하며, PMD-PSG공정 효율을 향상시킬 수 있게 된다.

대표청구항

APCVD 방식을 이용한 반도체 소자의 PMD-PSG막 형성방법으로서,(A)게이트가 형성된 반도체 웨이퍼를 다수의 인젝터로 구현되는 APCVD 장치로 인입시키는 단계와,(B)상기 APCVD 장치내 인입된 웨이퍼상으로 상기 PMD-PSG막 형성을 위한 P성분이 첨가된 산화제 가스를 플로우시키는 단계와,(C)상기 P성분의 산화제 가스와 오존의 결합을 통해 웨이퍼상 박막의 PMD-PSG막을 생성시키는 단계를 포함하는 APCVD 방식을 이용한 반도체소자의 PMD-PSG막 형성방법.

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