초록

본 발명은 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 분자량이 100~1000인 시클로헥산에 친수성기인 디히드록시기를 가진 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물은 반도체 포토공정에서 상기 첨가제가 수지 사이에 균일하게 분포되어 수지의 농도를 묽혀서 투과율을 상승시켜 초순수 세정 과정 중 기판에 소수성 수지의 재흡착을 저지함으로써, 고감도 및 고해상성을 나타내고, 현상 결함이 없는 프로파일을 형성할 수 있다.

대표청구항 ▼

(A) 본래는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만, 산에 대해 불안정한 극세섬유가 산의 작용에 의해 해리된 후에는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지,(B) 빛 또는 방사선의 작용에 의해 산을 발생하는 화합물, 및(C) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.[화학식 3]상기 화학식 3에서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 결합; 할로겐 원자가 치환 또는 비치환된 탄소수 1~6의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기; 또는 할로겐 원자가 치환 또는 비치환된 탄소수 2~6의 알케닐렌기이며, 분

(A) 본래는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만, 산에 대해 불안정한 극세섬유가 산의 작용에 의해 해리된 후에는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지,(B) 빛 또는 방사선의 작용에 의해 산을 발생하는 화합물, 및(C) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물.[화학식 3]상기 화학식 3에서, R7 및 R8은 각각 독립적으로 결합; 할로겐 원자가 치환 또는 비치환된 탄소수 1~6의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기; 또는 할로겐 원자가 치환 또는 비치환된 탄소수 2~6의 알케닐렌기이며, 분자량이 100~1000 이다.