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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2006-0097082 (2006-10-02) |
| 등록번호 | 10-0801063-0000 (2008-01-29) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020060097082 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2006-10-02) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 등록 |
게이트 올 어라운드(GAA)형 반도체 장치는, 반도체 기판, 소스/드레인 층들, 나노 와이어 채널, 게이트 전극 및 절연막 패턴을 포함한다. 소스/드레인 층들은 기판 상에 제1 방향으로 서로 이격되어 형성된다. 나노 와이어 채널은 제1 방향으로 서로 이격된 소스/드레인 층들을 연결한다. 게이트 전극은 제1 방향으로 서로 이격된 소스/드레인 층들 사이에서 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 연장되고, 제1 및 제2 방향에 직교하는 제3 방향을 따라 일정한 높이로 형성되어 나노 와이어 채널 일부를 감싼다. 절연막 패턴은 게이트 전극의
반도체 기판 상에 제1 방향을 따라 서로 이격되게 형성된 소스/드레인 층들;상기 제1 방향을 따라 이격된 상기 소스/드레인 층들을 연결하는 나노 와이어 채널;상기 소스/드레인 층들 사이에서 상기 제1 방향에 대해 직교하는 제2 방향으로 연장되며, 상기 나노 와이어 채널을 부분적으로 감싸도록 상기 제1 및 제2 방향에 대해 직교하는 제3 방향을 따라 연장되어 형성된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극의 일부 및 상기 나노 와이어 채널을 커버하면서 상기 소스/드레인 층들 사이에 형성된 절연막 패턴을 포함하는 게이트 올 어라운드(GAA)형
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