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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2006-0139173 (2006-12-30) |
공개번호 | 10-2008-0062964 (2008-07-03) |
등록번호 | 10-0961988-0000 (2010-05-31) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060139173 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2007-12-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 나노소재를 이용한 기체 센서는 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판과; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극과; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 센서 어레이로 이루어진 센서전극과; 상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산
실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 센서 어레이로 이루어진 센서전극;상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산되어 있는 감지부; 및 상기 감지부 및 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 상부 보호층을 포함하고,상기 센서 어레이는 IDE
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