[특허]웨이퍼 베벨 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

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웨이퍼 베벨 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)	H01L-021/3065
출원번호	10-2007-0069705 (2007-07-11)
공개번호	10-2009-0006401 (2009-01-15)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020070069705
발명자 / 주소	나관구 / 경기 성남시 분당구 서현동 시범단지한신아파트 *-* 이중희 / 인천 연수구 옥련동 *번지 현대아파트 -** 장철희 / 경기 용인시 수지구 상현 동 만현마을단지 LG자이 아파트*-* 이길헌 / 서울 서초구 방배동 방배차 현대홈타운 *-**
출원인 / 주소	(주)소슬 / 경기도 용인시 처인구 남사면 원암리 **
대리인 / 주소	남승희 (Nam Seung Hee) 서울 서초구 서초동 ***- 서전빌딩**층(아인특허법률사무소)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

본 발명은 웨이퍼 베벨 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 금속층을 제거하는 단계와, 플라즈마를 이용한 국부 식각 공정으로 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 구조물을 일부 제거하여 잔류하는 금속 이온 또는 파티클을 제거하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면 EBR 공정을 실시한 후 웨이퍼 베벨 영역에 잔류하는 금속 이온을 웨이퍼 베벨 식각 장치를 이용한 식각 공정으로 완전히 제거함으로써 웨이퍼 베벨 영역의 금속 이온으로 인해 발생되는 여러가지 문제

대표청구항

반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 베벨 영역에 절연막 및 금속층이 형성되는 단계;상기 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 금속층을 제거하는 단계; 및플라즈마를 이용한 국부 식각 공정으로 상기 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 절연막을 적어도 일부 제거하여 잔류하는 금속 이온 또는 파티클을 제거하는 단계를 포함하는 웨이퍼 베벨 식각 방법.

이 특허에 인용된 특허 (3)

[한국] 웨이퍼 가장자리를 처리하기 위한 플라즈마 처리장치,플라즈마 처리장치용 절연판, 플라즈마 처리장치용하부전극, 웨이퍼 가장자리의 플라즈마 처리방법 및반도체소자의 제조방법 | 최창원, 김태룡, 김종범, 서종우
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[일본] METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE | YANO HIROYUKI, OKUMURA KATSUYA
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[일본] WAFER EDGE ETCHING DEVICE AND METHOD | CHOI CHANG-WON, KIM TAE RYONG, KIM JONG BAUM, JO TEIU, BYUN CHANG JU
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관련 콘텐츠

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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