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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2007-0069705 (2007-07-11) |
공개번호 | 10-2009-0006401 (2009-01-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020070069705 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 웨이퍼 베벨 식각 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 금속층을 제거하는 단계와, 플라즈마를 이용한 국부 식각 공정으로 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 구조물을 일부 제거하여 잔류하는 금속 이온 또는 파티클을 제거하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면 EBR 공정을 실시한 후 웨이퍼 베벨 영역에 잔류하는 금속 이온을 웨이퍼 베벨 식각 장치를 이용한 식각 공정으로 완전히 제거함으로써 웨이퍼 베벨 영역의 금속 이온으로 인해 발생되는 여러가지 문제
반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼 베벨 영역에 절연막 및 금속층이 형성되는 단계;상기 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 금속층을 제거하는 단계; 및플라즈마를 이용한 국부 식각 공정으로 상기 웨이퍼 베벨 영역에 형성된 절연막을 적어도 일부 제거하여 잔류하는 금속 이온 또는 파티클을 제거하는 단계를 포함하는 웨이퍼 베벨 식각 방법.
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