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연합인증

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ＭＩＭ 커패시터 및 ＭＩＭ 커패시터 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-027/108
출원번호 10-2007-0137242 (2007-12-26)
공개번호 10-2009-0069543 (2009-07-01)
등록번호 10-0954909-0000 (2010-04-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020070137242
발명자 / 주소
  • 윤종용 / 서울 강남구 압구정동 미성아파트 *-****
출원인 / 주소
  • 주식회사 동부하이텍 / 서울특별시 강남구 대치동 ***-**
대리인 / 주소
  • 서교준
심사청구여부 있음 (2007-12-26)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

실시예에 따른 MIM 커패시터의 제조 방법은 하부 금속배선층 위에 유전체층이 형성되는 단계; 상기 유전체층에 트렌치가 형성되는 단계; 상기 트렌치가 매립되도록 하여 상기 유전체층 위에 제3 금속층이 형성되는 단계; 상기 유전체층 및 상기 제3 금속층을 패터닝하여 상기 트렌치를 포함하는 유전체층 패턴 및 제3 금속층 패턴이 형성되는 단계; 상기 유전체층 패턴 및 상기 제3 금속층 패턴이 덮히도록 하여 상기 하부 금속배선층 위에 절연층이 형성되는 단계; 상기 절연층을 관통하여 상기 제3 금속층 패턴과 접촉되는 상부 금속배선층이 형성되는

대표청구항

삭제

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 반도체 소자의 ＭＩＭ 커패시터 형성 방법 | 김영필
    상세보기
  2. [한국] 박막 커패시터 및 그 제조 방법 | 서영훈
    상세보기

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