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[한국특허] LDMOS 반도체 소자와 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-029/78
  • H01L-021/336
출원번호 10-2008-0079398 (2008-08-13)
공개번호 10-2010-0020688 (2010-02-23)
DOI http://doi.org/10.8080/1020080079398
발명자 / 주소
  • 권경욱 / 대구광역시 달서구 신당동 ****-**번지 *층
출원인 / 주소
  • 주식회사 동부하이텍 / 서울특별시 강남구 대치동 ***-**
대리인 / 주소
  • 김원준; 장성구
심사청구여부 있음 (2008-08-13)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명에 따른 LDMOS 반도체 소자는, 소오스 영역을 연결되며, 게이트 패턴 하부의 기판 내에 형성된 채널 영역과. 제 1 도전형 기판 내 일부 영역에 형성되며, 채널 영역 및 드레인 영역과 연결되는 제 2 도전형 드리프트 영역과, 드리프트 영역 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 BOX층을 포함한다.이와 같이, 본 발명은 드리프트 영역에 O2 이온 주입과 어닐 공정을 통해 BOX층을 형성하여 드리프트 영역 전체를 공핍시켜 LDMOS의 브레이크다운 전압 특성 및 저항 특성을 향상시킬 수 있다.

대표청구항

제 1 도전형 기판 상에 형성된 필드 산화막에 의해 정의된 액티브 영역 상에 게이트 패턴 및 소오스/드레인 영역이 형성되어 있는 LDMOS 반도체 소자에 있어서,상기 소오스 영역을 연결되며, 상기 게이트 패턴 하부의 상기 기판 내에 형성된 채널 영역과.상기 제 1 도전형 기판 내 일부 영역에 형성되며, 상기 채널 영역 및 상기 드레인 영역과 연결되는 제 2 도전형 드리프트 영역과,상기 드리프트 영역 내에 배치되는 적어도 하나 이상의 BOX층을 포함하는 LDMOS 반도체 소자.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 고전압이 중확산 전력소자의 구조 | 김종대, 이상용, 김상기, 구진근, 남기수
  2. [일본] SEMICONDUCTOR DEVICE | KITAMURA AKIO, KITAMURA MUTSUMI
  3. [국제] THERMOSETTING RESIN WAFER-HOLDING PIN | LEAVITT, William, US, RICHARDS, Steven, US, BLAKE, Julian, G., US
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