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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2009-0027541 (2009-03-31) |
| 공개번호 | 10-2010-0109111 (2010-10-08) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020090027541 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
네거티브형 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 알콕시실릴기를 측쇄기로 포함하고 산에 의해 가교되어 현상액에 불용성이 되는 고분자, 광산발생제 및 용매를 포함하는 네거티브형 포토레지스트 조성물을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 막을 형성한다. 포토레지스트 막의 제1 부분에 광을 조사하여 알콕시실릴기들의 가교 반응에 의하여 고분자를 경화시킨 다음, 현상액을 적용하여 포토레지스트 막의 광이 조사되지 않은 제2 부분을 제거하고 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 노광 후 열처리 공정
알콕시실릴기를 측쇄기로 포함하고 산에 의해 가교되어 현상액에 불용성이 되는 고분자, 광산발생제 및 용매를 포함하는 네거티브형 포토레지스트 조성물을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 막의 제1 부분에 광을 조사하여 이웃하는 알콕시실릴기들의 가교 반응에 의하여 상기 광이 조사된 제1 부분의 고분자를 경화시키는 단계; 및상기 포토레지스트 막에 상기 현상액을 적용하여 상기 포토레지스트 막의 광이 조사되지 않은 제2 부분을 제거하고 상기 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 형성방
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