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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0016899 (2010-02-25) |
공개번호 | 10-2011-0097193 (2011-08-31) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100016899 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.
플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 식각 장치.
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