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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2010-0026442 (2010-03-24) | |
공개번호 | 10-2011-0107214 (2011-09-30) | |
등록번호 | 10-1737798-0000 (2017-05-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100026442 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-02-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
높은 프로파일 앵글을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는데 적합한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 제공된다. 포토레지스트 조성물은, 알칼리 가용성 수지, 퀴논디아지드기를 포함하는 화합물, 하기의 화학식 1의 화합물, 및 용매를 포함한다.<화학식 1>(단. 상기 화학식 1에서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소수 3 내지 8의 사이클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.)
알칼리 가용성 수지;퀴논디아지드기를 포함하는 화합물;하기의 화학식 1의 화합물; 및용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.<화학식 1>(단. 상기 화학식 1에서 R1, R2 및 R3는 각각 하기 화학식 2로 표현된다.)<화학식 2>
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