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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0046021 (2010-05-17) |
공개번호 | 10-2010-0057772 (2010-06-01) |
등록번호 | 10-1022770-0000 (2011-03-09) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100046021 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-06-16) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그
하부전극;상기 하부전극 상에 적층된 AHO((Alx,Hf1-x)Oy)막; 및 상기 AHO막 상에 형성된 상부전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
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