[특허]손상 없이 반도체를 습식 세척하기 위한 높은 네거티브 제타 전위 다면체 실세스퀴옥산 조성물과 방법

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[한국특허] 손상 없이 반도체를 습식 세척하기 위한 높은 네거티브 제타 전위 다면체 실세스퀴옥산 조성물과 방법
HIGH NEGATIVE ZETA POTENTIAL POLYHEDRAL SILSESQUIOXANE COMPOSITION AND METHOD FOR DAMAGE FREE SEMICONDUCTOR WET CLEAN 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	C11D-011/00 C11D-007/14 C11D-007/22 H01L-021/306
출원번호	10-2010-7010520 (2010-05-13)
공개번호	10-2010-0091974 (2010-08-19)
등록번호	10-1569338-0000 (2015-11-10)
우선권정보	미국(US) 60/987,706 (2007-11-13)
국제출원번호	PCT/US2008/083161 (2008-11-12)
국제공개번호	WO 2009/064745 (2009-05-22)
번역문제출일자	2010-05-13
DOI	http://doi.org/10.8080/1020107010520
발명자 / 주소	하오, 지안준 / 미국, 텍사스 ***, 오스틴, 이스트 우드워드 스트리트 *
출원인 / 주소	사켐,인코포레이티드 / 미국 텍사스 오스틴 이스트 우드워드 스트리트 * (우편번호: ***)
대리인 / 주소	박경재
심사청구여부	있음 (2013-11-04)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록 ▼

본 발명은, (a) 하나 이상의 금속 이온-유리 염기와, (b) 수용성 금속 이온-유리 다면체 실세스퀴옥산과, (c) 산화제와, (d) 금속 이온-유리 물을 포함하는, 집적 회로 기판으로부터 미립자를 제거하기 위한 조성물에 관한 것으로, (a), (b), (c) 및 (d)를 포함하는 성분을 조합시켜서 얻어지는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 집적 회로 장치의 표면에, (a), (b), (c) 및 (d)를 포함하는 성분을 도포하거나, (a), (b), (c) 및 (d)를 포함하는 성분을 조합시켜서 얻어지는 조성물을 도포하는 단

대표청구항

조성물에 있어서,(a) 하나 이상의 금속 이온-유리 염기(metal ion-free base)와,(b) 다면체 실세스퀴옥산(polyhedral silsesquioxane)의 수용성 금속 이온-유리 염(metal ion-free salt)과,(c) 산화제와,(d) 금속 이온-유리 물(metal ion-free water)을포함하는, 조성물.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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