초록 ▼

반도체 기판 상의 노출된 구리 구역이, 약 5 내지 12 사이의 pH에서, (ⅰ) 두자리, 세자리, 및 네자리 착화제로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 착화제; 그리고 (ⅱ) 산화제를 포함하는 습식 에칭 용액에 의해 에칭될 수 있다. 많은 실시예에서, 이러한 에칭은 실질적으로 등방성이고, 구리 표면에 불용성 종을 가시적으로 형성함이 없이 발생한다. 상기 에칭은 반도체 제작에 있어서 다수의 공정(가령, 초과 구리 부분의 부분적 또는 완전한 제거, 구리 표면의 평탄화, 및 구리-충전 다마신 피쳐 내의 오목부 형성)에서 유용하다

반도체 기판 상의 노출된 구리 구역이, 약 5 내지 12 사이의 pH에서, (ⅰ) 두자리, 세자리, 및 네자리 착화제로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 착화제; 그리고 (ⅱ) 산화제를 포함하는 습식 에칭 용액에 의해 에칭될 수 있다. 많은 실시예에서, 이러한 에칭은 실질적으로 등방성이고, 구리 표면에 불용성 종을 가시적으로 형성함이 없이 발생한다. 상기 에칭은 반도체 제작에 있어서 다수의 공정(가령, 초과 구리 부분의 부분적 또는 완전한 제거, 구리 표면의 평탄화, 및 구리-충전 다마신 피쳐 내의 오목부 형성)에서 유용하다. 적합한 에칭 용액의 예시에는, 두자리 및 세자리 착화제 각각으로서 디아민(가령, 에틸렌디아민) 및/또는 트리아민(가령, 디에틸렌트리아민)을 포함하고 산화제로서 과산화수소를 포함하는 용액이 포함된다. 일부 실시예에서, 에칭 용액은 황산, 아미노산, 및 카르복시산과 같은 pH 조절제를 추가로 포함한다.

대표청구항 ▼

부분적으로 제작된 반도체 기판상의 다마신 피쳐(damascene feature)의 처리 방법에 있어서, 상기 방법은(a) 기판에 형성된 필드 구역 및 하나 이상의 오목형 다마신 피쳐를 갖는 반도체 기판을 수용하는 단계, 여기서 상기 기판은 전도성 물질의 층으로 라이닝(lining) 되어 있음;(b) 상기 오목형 다마신 피쳐를 구리-함유 금속을 이용해 전기화학적으로 완전히 충전하고, 필드 구역 위에 구리-함유 초과부분(overburden)을 형성하는 단계, 여기서 상기 초과부분은 충전된 오목형 다마신 피쳐 위의 오목부(recess)를

부분적으로 제작된 반도체 기판상의 다마신 피쳐(damascene feature)의 처리 방법에 있어서, 상기 방법은(a) 기판에 형성된 필드 구역 및 하나 이상의 오목형 다마신 피쳐를 갖는 반도체 기판을 수용하는 단계, 여기서 상기 기판은 전도성 물질의 층으로 라이닝(lining) 되어 있음;(b) 상기 오목형 다마신 피쳐를 구리-함유 금속을 이용해 전기화학적으로 완전히 충전하고, 필드 구역 위에 구리-함유 초과부분(overburden)을 형성하는 단계, 여기서 상기 초과부분은 충전된 오목형 다마신 피쳐 위의 오목부(recess)를 포함하고, 상기 오목부는 상기 초과부분 두께와 동일한 깊이를 가짐;(c) 상기 초과부분의 오목부의 종횡비를 감소시키면서 필드 구역 위에 추가적인 초과부분 물질을 증착하기 위하여 기판 위에 구리-함유 금속을 계속하여 전착(electrodeposition)시키는 단계, 여기서 필드 구역 위에 증착된 상기 추가적인 초과부분 물질의 두께는 (b)에서 증착된 상기 초과부분의 두께의 50% 이상임; 그리고(d) 기판을 등방성 습식 에칭 용액과 접촉시킴으로써 구리-함유 초과부분을 습식 에칭하여, 적어도 (c)에서 증착된 상기 추가적인 초과부분 모두를 제거하는 단계를 포함하며, 여기서 상기 습식 에칭 용액은 착화제 및 산화제를 포함하고 5 내지 12 사이 범위의 pH를 가지며, 습식 에칭에 의해 오목형 피쳐의 종횡비가 추가로 감소하며, 상기 습식 에칭은 패드(pad)의 도움없이 수행되는 것을 특징으로 하는, 다마신 피쳐의 처리 방법.