초록

본 발명은 반도체 기판세정 등 반도체 공정에 사용되는 전해수 생성장치에 관한 것으로, 전해조의 수압을 향상시킴에 따라 전해수에 있어 원하는 용존수소, 용존산소, OPR을 가지도록 하여 세정력을 향상시킴과 동시에 전해조의 구조에 기해 일정한 전류가 흐르도록 함으로써 수압의 향상에 기한 전해효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 전해수 생성장치에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

전해조를 포함하되, 상기 전해조는 애노드극과, 캐소드극이 구성되어 유입수압 0.1 내지 0.5MPa의 순수를 유입하여 산성수 또는 알칼리수를 배출하도록 하되, 상기 전해조의 내부에는 이온교환수지에 의한 격벽으로 구획되는 알카리수생성챔버 및 산성수생성챔버가 형성되며, 각각의 알카리수생성챔버 및 산성수생성챔버에는 상,하로 복수의 챔버를 구획하는 복수의 구획벽이 형성되고, 상기 챔버에는 각각 캐소드극, 애노드극이 형성되며, 최하단의 캐소드극과 최상단의 애노드극에 전압을 인가하도록 하는 외부전원이 형성되도록 하면서 상기 외부전원과 연결되지

전해조를 포함하되, 상기 전해조는 애노드극과, 캐소드극이 구성되어 유입수압 0.1 내지 0.5MPa의 순수를 유입하여 산성수 또는 알칼리수를 배출하도록 하되, 상기 전해조의 내부에는 이온교환수지에 의한 격벽으로 구획되는 알카리수생성챔버 및 산성수생성챔버가 형성되며, 각각의 알카리수생성챔버 및 산성수생성챔버에는 상,하로 복수의 챔버를 구획하는 복수의 구획벽이 형성되고, 상기 챔버에는 각각 캐소드극, 애노드극이 형성되며, 최하단의 캐소드극과 최상단의 애노드극에 전압을 인가하도록 하는 외부전원이 형성되도록 하면서 상기 외부전원과 연결되지 않은 애노드극과 캐소드극 간에는 챔버를 달리하며 전기적으로 연결되도록 하여 각각의 챔버에서 전극은 직렬에 의한 전기적 연결이 되도록 하는 것을 특징으로 하고, 상기 격벽의 양면에는 이온교환부가 도포되되, 상기 이온교환부는 음이온교환기를 갖는 음이온코팅층 또는 양이온교환기를 갖는 양이온코팅층으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 전해수 생성장치.