초록 ▼

본 발명은 반도체 제조 공정 진행 후 챔버 클리닝을 위해 사용하는 NF3 가스에 의해 AlN 히터에 생성되는 알루미늄 플로라이드(fluoride)를 N2 플라즈마를 이용하여 제거하도록 한 기술이다. 본 발명은 챔버내에 N2 가스를 유입한 후 온도를 올리지 않고 저온에서 N2, NH3 및 N2O, O2, Ar 중 어느 하나의 가스로 Al fluoride 제거 처리가 가능하게 하는 것으로, 펄스타입의 플라즈마소스 또는 플라즈마 밀도를 높이기 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma) source, 대면적을 위해 CC

본 발명은 반도체 제조 공정 진행 후 챔버 클리닝을 위해 사용하는 NF3 가스에 의해 AlN 히터에 생성되는 알루미늄 플로라이드(fluoride)를 N2 플라즈마를 이용하여 제거하도록 한 기술이다. 본 발명은 챔버내에 N2 가스를 유입한 후 온도를 올리지 않고 저온에서 N2, NH3 및 N2O, O2, Ar 중 어느 하나의 가스로 Al fluoride 제거 처리가 가능하게 하는 것으로, 펄스타입의 플라즈마소스 또는 플라즈마 밀도를 높이기 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma) source, 대면적을 위해 CCP(Capacitively Coupled Plasma) source 또는 CCP+ICP source 또는 리모트 플라즈마를 사용하는 플라즈마소스 및 플라즈마소스에 의해 플라즈마를 형성시킴과 동시에, 클리닝 효과 향상을 위해 챔버내에 재치된 모재에 1KeV~100KeV의 전압을 DC전압부를 통해 인가하게 된다. DC 전압부는 이온주입이 용이하도록 하는 펄스전압부일 수 있다.

대표청구항

반응챔버(10)와 서셉터(60)를 포함하여 구성되는 반도체 제조장비에 있어서, AlN 히터(70)의 클리닝을 위하여 N2 가스를 유입하여 플라즈마를 형성하도록 상기 반응챔버(10)의 상부에 구성된 펄스타입의 플라즈마소스(80); 및 상기 서셉터(60)에 대해 1KeV~100KeV 바이어스 전압인 DC전압을 인가하도록 상기 반응챔버(10)의 하부에 구성된 전압인가부(90)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 AlN 히터의 클리닝 장치.

반응챔버(10)와 서셉터(60)를 포함하여 구성되는 반도체 제조장비에 있어서, AlN 히터(70)의 클리닝을 위하여 N2 가스를 유입하여 플라즈마를 형성하도록 상기 반응챔버(10)의 상부에 구성된 펄스타입의 플라즈마소스(80); 및 상기 서셉터(60)에 대해 1KeV~100KeV 바이어스 전압인 DC전압을 인가하도록 상기 반응챔버(10)의 하부에 구성된 전압인가부(90)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 AlN 히터의 클리닝 장치.