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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-0104621 (2012-09-20) | |
공개번호 | 10-2014-0038195 (2014-03-28) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120104621 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
TSV(Through Silicon Via) 형성하는 방법이 개시된다. TSV 형성 방법은 하부에 기판을 포함하는 집적소자의 상부면을 통하여 비아홀을 형성하는 단계, 상기 상부면을 통하여 상기 비아홀의 내부에 희생막을 형성하는 단계, 상기 상부면 상에 금속 배선층을 형성하는 단계, 상기 금속 배선층 상에 도전접착층을 형성하는 단계,상기 기판을 그 저면으로부터 제거하여 상기 비아홀의 일면을 노출시키는 단계, 상기 희생막을 제거하는 단계, 상기 비아홀의 내부에 도금을 통해 충전전극을 형성하는 단계를 포함한다.
하부에 기판을 포함하는 집적소자의 상부면을 통하여 비아홀을 형성하는 단계;상기 상부면을 통하여 상기 비아홀의 내부에 희생막을 형성하는 단계;상기 상부면 상에 금속 배선층을 형성하는 단계;상기 금속 배선층 상에 도전접착층을 형성하는 단계;상기 기판을 그 저면으로부터 일부 제거하여 상기 비아홀의 일면을 노출시키는 단계;상기 희생막을 제거하는 단계;상기 비아홀의 내부에 도금을 통해 충전전극을 형성하는 단계;를 포함하는 TSV(Through Silicon Via) 형성 방법.
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