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TSV전극과 도금기술
Plating Technology of Through Silicon Via 원문보기

한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집, 2015 May 07, 2015년, pp.134 - 135  

김유상 (한국과학기술정보연구원) ,  정광미 (대도도금(주))

초록
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실리콘 반도체 칩 가공기술의 미세화는 40년에 걸쳐 전자기기 진보에 큰 공헌을 할 수 있었다. 절반간격(Half Pitch)이라는 최소 패턴크기로 좁아지고 있다. 회로패턴을 평면적으로뿐만 아니라 집적도를 올리는 3차원 실장기술이 중요시 되었다. 종래칩 표면에만 존재했던 접속용 전극을 표면과 뒷면에 붙여 칩을 관통하는 미세실리콘 관통전극(TSV; Through Silicon Via)제조기술로써 TSV는 한계의 반도체기술을 극복하여 한층 더 크게 발전할 가능성을 비추고 있다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • 그러나 제품화가 지연되었고, 대용량 DRAM(Dynamic Random Access Memory)도 실용화가 지체되고 있다. 신호전송 고속화를 위한 Cu회로에는 도금이 필수적이며 TSV에서는 도금의 중요성이 더욱 커지고 있어 TSV용 Via Hole도금의 현상과 문제점을 기술하였다.

대상 데이터

  • TSV제조공정에서 Via Hole을 가공한 후 실리콘 산화막(SiO2)으로써 Via도체를 절연한다. 산화막은 열 산화, 감압CVD(LPCVD), 플라스마 CVD(PECVD)로써 제조한다. Cu원자는 고온에서 확산하여 트랜지스터 특성을 떨어뜨리므로 TiN, TaN과 같은 얇은 장벽막을 산화막 위에 부착시킨다.
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