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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0127628 (2014-09-24) | |
공개번호 | 10-2015-0071633 (2015-06-26) | |
등록번호 | 10-1617958-0000 (2016-04-27) | |
우선권정보 | 미국(US) 14/132,076 (2013-12-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140127628 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-09-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
정전기 방전(ESD) 전압으로부터 회로를 보호하기 위한 시스템이 제공된다.입력 단자가 입력 신호를 수신한다.ESD 보호 회로가 상기 입력 단자로부터 입력 신호를 수신한다.ESD 보호 회로는 하나 이상의 수직 나노와이어 전계 효과 트랜지스터들(FETs)을 포함한다.하나 이상의 수직 나노와이어 FETs의 각각이 제 1 전도성 타입의 웰을 포함한다.또한, 하나 이상의 수직 나노와이어 FETs의 각각이 i) 나노와이어의 제 1 단부에서의 소스 영역, 및 ii) 상기 제 1 단부에 대향하는 나노와이어의 제 2 단부에서의 드레인 영역을 가지는
정전기 방전(electrostatic discharge; ESD) 전압으로부터 회로를 보호하기 위한 시스템에 있어서,입력 신호를 수신하기 위한 입력 단자;상기 입력 단자로부터 상기 입력 신호를 수신하고 처리하도록 구성된 ESD 보호 회로; 및상기 ESD 보호 회로로부터 상기 처리된 입력 신호를 수신하도록 구성된 출력 단자를 포함하고,상기 ESD 보호 회로는 하나 이상의 수직 나노와이어 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor; FET)들을 포함하고,상기 하나 이상의 수직 나노와이어 FET들의 각각은,반도체 기
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