초록

본 발명은 식각용 조성물 및 이 식각용 조성물을 이용한 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물은 제1 무기산, 제2 무기산과 실란 화합물을 반응시켜 제조된 실란 무기산염, 그리고 용매를 포함한다.상기 식각용 조성물은 산화막의 식각율을 최소화하면서 질화막을 선택적으로 제거할 수 있으며, 소자 특성에 악영향을 미치는 파티클 발생 등의 문제점을 갖지 않는 고선택비의 식각용 조성물이다.

대표청구항 ▼

제1 무기산,제2 무기산과 실란 화합물을 반응시켜 제조된 실란 무기산염들, 그리고용매를 포함하며, 상기 제2 무기산은 황산, 발연 황산, 질산, 인산, 무수 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 실란 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것인 식각용 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,상기 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하

제1 무기산,제2 무기산과 실란 화합물을 반응시켜 제조된 실란 무기산염들, 그리고용매를 포함하며, 상기 제2 무기산은 황산, 발연 황산, 질산, 인산, 무수 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 실란 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것인 식각용 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,상기 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R1 내지 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시기이다)