초록 ▼

본 발명의 일정파장(λ)을 갖는 레이저 광을 출사시키는 레이저 광원(10)와, 상기 레이저 광을 전달하는 광섬유(11)와, 일정 크기의 직경(300mm)을 갖는 웨이퍼(wafer)(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 중심축 선상에서 상기 웨이퍼의 일측 뒤쪽에 구비되고, 상기 웨이퍼에 평행광을 조사하는 콜리메이터(collimator) 렌즈(3)와, 상기 콜리메이터 렌즈(3)의 뒤쪽에 배치되고 상기 광섬유로부터 전달되는 광을 두 개의 광으로 분할하는 광 분할기(BS, Beam Splitter)(9)와, 상기 광 분할기(BS)(9)로부터 분할된

본 발명의 일정파장(λ)을 갖는 레이저 광을 출사시키는 레이저 광원(10)와, 상기 레이저 광을 전달하는 광섬유(11)와, 일정 크기의 직경(300mm)을 갖는 웨이퍼(wafer)(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 중심축 선상에서 상기 웨이퍼의 일측 뒤쪽에 구비되고, 상기 웨이퍼에 평행광을 조사하는 콜리메이터(collimator) 렌즈(3)와, 상기 콜리메이터 렌즈(3)의 뒤쪽에 배치되고 상기 광섬유로부터 전달되는 광을 두 개의 광으로 분할하는 광 분할기(BS, Beam Splitter)(9)와, 상기 광 분할기(BS)(9)로부터 분할된 광중 하나의 광이 조사되되 상기 웨이퍼의 중심축과 수직선에 렌즈의 중심축이 일치하도록 배치된 집광 렌즈(12)와, 상기 집광렌즈의 뒤쪽에 배치되고 상기 집광렌즈에 조사된 빔이 수렴되어 조사되도록 배치된 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 소구경 기준미러(13)를 갖춘 웨이퍼 형상 변화 값을 검출하는 장치를 적용하여 웨이퍼 형상 변화 값을 검출하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

일정파장(λ)을 갖는 레이저 광을 출사시키는 레이저 광원(10)와, 상기 레이저 광을 전달하는 광섬유(11)와, 일정 크기의 직경(300mm)을 갖는 웨이퍼(wafer)(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 중심축 선상에서 상기 웨이퍼의 일측 뒤쪽에 구비되고, 상기 웨이퍼에 평행광을 조사하는 콜리메이터(collimator) 렌즈(3)와, 상기 콜리메이터 렌즈(3)의 뒤쪽에 배치되고 상기 광섬유로부터 전달되는 광을 두 개의 광으로 분할하는 광 분할기(BS, Beam Splitter)(9)와, 상기 광 분할기(BS)(9)로부터 분할된 광중 하나

일정파장(λ)을 갖는 레이저 광을 출사시키는 레이저 광원(10)와, 상기 레이저 광을 전달하는 광섬유(11)와, 일정 크기의 직경(300mm)을 갖는 웨이퍼(wafer)(1)와, 상기 웨이퍼(1)의 중심축 선상에서 상기 웨이퍼의 일측 뒤쪽에 구비되고, 상기 웨이퍼에 평행광을 조사하는 콜리메이터(collimator) 렌즈(3)와, 상기 콜리메이터 렌즈(3)의 뒤쪽에 배치되고 상기 광섬유로부터 전달되는 광을 두 개의 광으로 분할하는 광 분할기(BS, Beam Splitter)(9)와, 상기 광 분할기(BS)(9)로부터 분할된 광중 하나의 광이 조사되되 상기 웨이퍼의 중심축과 수직선에 렌즈의 중심축이 일치하도록 배치된 집광 렌즈(12)와, 상기 집광렌즈의 뒤쪽에 배치되고 상기 집광렌즈에 조사된 빔이 수렴되어 조사되도록 배치된 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 소구경 기준미러(13)를 갖춘 웨이퍼 형상 변화 값을 검출하는 장치를 적용하여웨이퍼 형상 변화 값을 검출하는 방법에 있어서, (a) 동일한 반도체 공정을 수행한 대구경(직경 300mm)의 웨이퍼 Wk (여기서 k 는 웨이퍼의 개수로서 k=1,..,h-1, h , h+1,..,L 임)에서 총 작업해야할 개수L 개중에 h 개를 준비하는 단계;(b) 상기 h 개의 웨이퍼 앞면에 대해 반도체 공정이 행하지는 공정스트레스로 인한 형상변형량을 측정하되, 웨이퍼 직경보다 작은 기준 미러를 광축(z축) 방향으로 일정거리씩 이동하여 명암의 밝기(I)를 획득한 다음, 상기 명암을 밝기(I) 값을 분석하여 웨이퍼 표면의 복수의 지점들[(Xi, Yj)여기서 i= 1,..,n, j=1,.., m]에 대해 초기 위상값(φ)을 구하는 단계;(c) 상기 초기 위상값(φ)을 통해 웨이퍼 표면의 각 지점들(Xi, Yj)에 대해 공정스트레스로 인한 형상 변화량[Z(Xi, Yj)]을 각각 구하여 컴퓨터에 저장하는 단계; 및 (d) 상기 (b)와 (c) 과정을 반복하여 h 개의 웨이퍼에 대해 웨이퍼 표면의 각 지점들(Xi, Yj)에 대한 형상변화량 [Zk(Xi Yj)](웨이퍼 h 개중 k의 웨이퍼에 대해 (Xi, Yj) 위치에서 측정한 형상변화량을 의미함)를 측정한 다음, 평균 형상 변화량[ Za(Xi, Yj)] (여기서Za = ∑Zk / h)을 구하는 단계;를 통해 대구경 웨이퍼의 형상 변화값을 검출하고 상기 검출된 값에서 평균형상 변화량을 검출하여 웨이퍼 표면의 형상 변화값을 검출하는 방법.