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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-7022425 (2016-08-17) | |
공개번호 | 10-2016-0101213 (2016-08-24) | |
등록번호 | 10-1821672-0000 (2018-01-18) | |
국제출원번호 | PCT/US2011/067234 (2011-12-23) | |
국제공개번호 | WO 2013/095651 (2013-06-27) | |
번역문제출일자 | 2016-08-17 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020167022425 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-11-25) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
비평면 게이트 올어라운드 장치 및 그의 제조 방법이 설명된다.일 실시예에서, 장치는 제1 격자 상수를 갖는 상면을 가진 기판을 포함한다.내장된 에피 소스 및 드레인 영역들이 기판의 상면에 형성된다.내장된 에피 소스 및 드레인 영역들은 제1 격자 상수와 다른 제2 격자 상수를 갖는다.제3 격자 상수를 갖는 채널 나노와이어들이 내장된 에피 소스 및 드레인 영역들 사이에 형성되고 그에 결합된다.일 실시예에서, 제2 격자 상수 및 제3 격자 상수는 제1 격자 상수와 다르다.채널 나노와이어들은 가장 바닥의 채널 나노와이어를 포함하며, 기판의
제1 재료를 포함하는 반도체 기판 - 상기 제1 재료는 제1 격자 상수(lattice constant)를 가짐 -;상기 반도체 기판 위의 소스 영역 - 상기 소스 영역은 제2 재료를 포함하고, 상기 제2 재료는 상기 제1 격자 상수와는 다른 제2 격자 상수를 가짐 -;상기 반도체 기판 위의 드레인 영역 - 상기 드레인 영역은 상기 제2 재료를 포함함 -;나노 와이어 - 상기 나노 와이어는 상기 소스 영역에 결합되고 상기 드레인 영역에 결합되고, 상기 나노 와이어는 제3 재료를 포함하고, 상기 제3 재료는 상기 제2 격자 상수와 동일
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