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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0063036 (2017-05-22) | |
공개번호 | 10-2018-0127808 (2018-11-30) | |
등록번호 | 10-2155512-0000 (2020-09-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170063036 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-05-22) | |
심사진행상태 | 등록결정(취소환송후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 제조용 정전척의 아킹 현상 개선방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에 사용되는 정전척 측면의 아노다이징 코팅막이 쉽게 손상되는 방지하는 동시에, 이미 손상된 정전척 측면의 아노다이징 코팅막이 플라즈마 상태의 공정 가스로부터 노출되지 않도록 하여 아킹 현상을 개선시킬 수 있으며, 정전척의 내전압 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조용 정전척의 아킹 현상 개선방법에 관한 것이다.
(a) 하측 전극판에 아노다이징 코팅막이 형성된 정전척을 준비하는 단계;(b) 상기 하측 전극판 외측의 아노다이징 코팅막에 액상의 열경화성 폴리이미드를 도포하고, 경화시키는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계를 n회(단, n은 2 이상) 반복 수행하여 두께가 5 ㎛ ~ 200 ㎛인 실링 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 경화는 80 ℃ ~ 800 ℃에서 10 분 ~ 10 시간 동안 수행하되, n회 미만에서의 경화는 80 ℃ ~ 140 ℃에서 10 분 ~ 10 시간 동안 수행하고, n회 경화는 150 ℃ ~ 800 ℃에서 10
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