초록 ▼

산화물 반도체막 상에 직접 불소화규소 질화막을 형성해도, 상기 산화물 반도체막의 전기저항의 저하를 억제할 수 있는 막 형성 방법을 제공한다.이 막 형성 방법은 기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정(40)과, 그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기

산화물 반도체막 상에 직접 불소화규소 질화막을 형성해도, 상기 산화물 반도체막의 전기저항의 저하를 억제할 수 있는 막 형성 방법을 제공한다.이 막 형성 방법은 기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정(40)과, 그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기 산화물 반도체막 상에 불소화규소 질화막(SiN:F막)을 형성하는 성막 공정(42)과, 그 후, 상기 기판 및 그 위의 막을 가열하는 어닐링 공정(44)을 구비하고 있다.

대표청구항 ▼

기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 상기 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정과,그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기 산화물 반도체막 상에 규소 질화막 중에 불소를 포함하는 불소화규소 질화막을 형성하는 성막 공정과,그 후, 상기 기판 및 그 위의 막을 가열하는 어닐링 공정을 구비

기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 상기 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정과,그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기 산화물 반도체막 상에 규소 질화막 중에 불소를 포함하는 불소화규소 질화막을 형성하는 성막 공정과,그 후, 상기 기판 및 그 위의 막을 가열하는 어닐링 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.