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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-7020680 (2017-07-24) | |
공개번호 | 10-2017-0097776 (2017-08-28) | |
등록번호 | 10-1986097-0000 (2019-05-30) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2015-026255 (2015-02-13) | |
국제출원번호 | PCT/JP2016/052943 (2016-02-01) | |
국제공개번호 | WO 2016/129438 (2016-08-18) | |
번역문제출일자 | 2017-07-24 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020177020680 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-07-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
산화물 반도체막 상에 직접 불소화규소 질화막을 형성해도, 상기 산화물 반도체막의 전기저항의 저하를 억제할 수 있는 막 형성 방법을 제공한다.이 막 형성 방법은 기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정(40)과, 그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기
기판 상에 산화물 반도체막을 갖는 것을 준비하고, 산소와 수소의 혼합 가스이며 수소의 비율이 8체적% 이하(0은 포함하지 않는다)인 혼합 가스를 이용하여 플라즈마를 생성해서 상기 플라즈마에 의해 상기 산화물 반도체막의 표면을 처리하는 표면처리 공정과,그 후, 사불화규소 가스 및 질소 가스를 포함하는 원료 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD법에 의해서, 상기 산화물 반도체막 상에 규소 질화막 중에 불소를 포함하는 불소화규소 질화막을 형성하는 성막 공정과,그 후, 상기 기판 및 그 위의 막을 가열하는 어닐링 공정을 구비
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