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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0021955 (2018-02-23) | |
공개번호 | 10-2019-0101676 (2019-09-02) | |
등록번호 | 10-2595297-0000 (2023-10-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180021955 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-02-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법이 제공된다. 미세 패턴 형성 방법은 반도체 기판 상에서 제 1 방향으로 연장되며 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이격되는 라인 패턴들 및 상기 제 2 방향으로 인접하는 상기 마스크 패턴들의 일부분들을 연결하는 연결 패턴을 형성하는 것; 및 상기 연결 패턴에 대한 이온 빔 식각 공정을 수행하는 것을 포함하되, 상기 이온 빔 식각 공정은 상기 제 1 방향으로 이온 빔을 제공하되, 상기 반도체 기판의 상면에 대한 상기 이온 빔의 입사각은 상기 반도체 기판의 상면에 대해 수직하지 않을 수 있
반도체 기판 상에 마스크막을 형성하는 것;상기 마스크막을 패터닝하여 제 1 방향으로 연장되며 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 이격되는 라인 패턴들 및 상기 제 2 방향으로 인접하는 상기 라인 패턴들의 일부분들을 연결하는 연결 패턴을 형성하는 것; 및 상기 연결 패턴에 대한 이온 빔 식각 공정을 수행하여 상기 연결 패턴을 제거함으로써, 상기 제2 방향으로 인접하는 상기 라인 패턴들을 분리시키는 것을 포함하되,상기 이온 빔 식각 공정은 상기 제 1 방향으로 이온 빔을 제공하되, 상기 반도체 기판의 상면에 대한 상기 이온 빔
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