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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2018-0128057 (2018-10-25) | |
| 공개번호 | 10-2020-0046623 (2020-05-07) | |
| 등록번호 | 10-2138334-0000 (2020-07-21) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020180128057 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2018-10-25) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
스텝업 전처리 방식으로 버퍼층을 형성하는 것에 의해, 우수한 결정 특성을 확보할 수 있으며, GaCl를 흘려주어 형성되는 버퍼층이 결함 밀도를 낮춰 고품질의 에피 성장이 가능한 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법은 (a) 기판의 표면을 에칭온도에서 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판 상에 GaCl을 스텝업 방식의 전처리로 흘려주어 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 버퍼층이 형성된 기판을 N2 가스 분위기에
(a) 기판의 표면을 에칭온도에서 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판 상에 GaCl을 스텝업 방식의 전처리로 흘려주어 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 버퍼층이 형성된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 350℃ ~ 600℃의 소스온도 및 400 ~ 700℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서, 상기 에칭온도는 300 ~ 700℃이고, 상기 (b) 단계에서, 상기 스텝업 전처리는 기판의 표면 특성을 개선하기 위해 상기 에칭 온도에서 성장온도까지 점
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