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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2019-0061138 (2019-05-24) | |
| 등록번호 | 10-2129390-0000 (2020-06-26) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020190061138 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2019-05-24) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
박막 형태의 에피 성장시에 복합 펄스 모드를 적용하여 β-Ga2O3 박막을 성장시키는 것에 의해, 결정성을 제어하여 고품질의 에피 성장으로의 제작이 가능할 뿐만 아니라, 생산 단가는 낮추면서 생산 수율을 향상시킬 수 있는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법은 (a) 기판의 표면을 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판 상에 GaCl을 공급하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을
(a) 기판의 표면을 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판에 GaCl을 공급하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 750 ~ 900℃의 소스온도 및 800 ~ 1,100℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 β-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 성장시 증착 가스로는 O2 및 GaCl을 이용하되, 상기 O2 및 GaCl 모두를 주기적으로 공급 및 차단을 반복하는 복합 펄스 모드로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고
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