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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0168758 (2018-12-24) | |
공개번호 | 10-2020-0079132 (2020-07-02) | |
등록번호 | 10-2211486-0000 (2021-01-28) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180168758 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-12-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
식각속도가 빠르며 선택적인 에칭이 가능한 전기화학적 에칭법을 이용하여 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 에칭하여 평탄화하는 것에 의해 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨을 제어할 수 있는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법 및 이를 포함하는 물분해 수소생산용 광전극에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법은 (a) 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 전기화학적
(a) 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 전기화학적 에칭법으로 에칭하여 평탄화하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 에칭은 25 ~ 35V의 인가전압 조건으로 0 ~ 40℃의 실온(room temperature)에서 10 ~ 120sec 동안 실시하고, 상기 (b) 단계에서, 상기 에칭에 의해, 압축응력이 더 크게 걸리는 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)에는 홀 형태를 갖는 복수의 나노 기공이 형성되는 것에 의한 표면적 증가로 물분해 효율
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