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[한국특허] 텅스텐 박막 증착 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-016/44
  • C23C-016/02
  • C23C-016/14
  • C23C-016/455
출원번호 10-2019-0073337 (2019-06-20)
공개번호 10-2020-0145001 (2020-12-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190073337
발명자 / 주소
  • 선우훈 / 경기도 오산시 경기대로 **-* 원동힐스테이트 ***동 ****호
  • 김동우 / 서울특별시 송파구 오금로**길 ** 반도아파트 래미안 송파파인탑
  • 최석규 / 경기도 수원시 영통구 광교중앙로 *** (이의동,광교엘포트아이파크) A***호
  • 한태성 / 서울특별시 강북구 월계로**길 **, (번동,한진아파트) ***동 ***호
  • 윤원준 / 서울특별시 종로구 청계천로 *** 동대문상가아파트 C동 ***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 원익아이피에스 / 경기도 평택시 진위면 진위산단로 ** ()
대리인 / 주소
  • 김성남
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명의 실시 예에 의한 텅스텐 박막 증착 방법은 진공 분위기의 공정 챔버 내에 전구체 가스와 반응 가스를 교대로 공급하여 기판 상에 핵 생성층을 형성하는 단계; 및 상기 공정 챔버의 내부 압력이 상기 핵 생성층을 형성하는 단계에서의 압력보다 상승된 상태에서 상기 공정 챔버 내에 수소 함유 가스를 공급하여 상기 핵 생성층 내에 잔류하는 불순물을 제거하는 단계를 포함한다.

대표청구항

진공 분위기의 공정 챔버 내에 전구체 가스와 반응 가스를 교대로 공급하여 기판 상에 핵 생성층을 형성하는 단계; 및상기 공정 챔버의 내부 압력이 상기 핵 생성층을 형성하는 단계에서의 압력보다 상승된 상태에서 상기 공정 챔버 내에 수소 함유 가스를 공급하여 상기 핵 생성층 내에 잔류하는 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 텅스텐 박막 증착 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 텅스텐막의 형성 방법 | 오쿠보 가즈야, 다치바나 미츠히로, 팡청, 스즈키 겐지, 사토 고이치, 이시즈카 호타카
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