초록

텅스텐 함유 박막을 증착하기 위한 기상 증착 방법이 제공된다. 일부 구현예에서, 기판은 텅스텐 옥시할라이드와 같은 텅스텐 전구체를 포함한 제1 기상 반응물, CO와 같은 제2 반응물, 및 H2와 같은 제3 반응물과 접촉한다. 일부 구현예에서, 기판은, 텅스텐 헥사카르보닐과 같은 텅스텐 전구체를 포함한 제1 기상 반응물, H2O와 같은 제1 산화제를 포함한 제2 반응물, 및 CO와 같은 환원제를 포함한 제3 반응물과 접촉한다. 일부 구현예에서, 증착 공정은 ALD 공정이다.

대표청구항

반응 공간 내의 기판 상에 텅스텐을 포함한 박막을 형성하기 위한 공정으로서, 상기 공정은 복수의 증착 사이클들을 포함하며, 상기 복수의 증착 사이클들은,기상 텅스텐 옥시할라이드를 포함한 제1 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계;CO를 포함한 제2 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계; 및 H2를 포함한 제3 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계를 포함하되,상기 증착 사이클은 텅스텐을 포함한 박막을 형성하기 위해 반복되는, 공정.

반응 공간 내의 기판 상에 텅스텐을 포함한 박막을 형성하기 위한 공정으로서, 상기 공정은 복수의 증착 사이클들을 포함하며, 상기 복수의 증착 사이클들은,기상 텅스텐 옥시할라이드를 포함한 제1 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계;CO를 포함한 제2 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계; 및 H2를 포함한 제3 반응물과 상기 기판을 접촉시키는 단계를 포함하되,상기 증착 사이클은 텅스텐을 포함한 박막을 형성하기 위해 반복되는, 공정.