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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0073337 (2019-06-20) | |
공개번호 | 10-2020-0145001 (2020-12-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190073337 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명의 실시 예에 의한 텅스텐 박막 증착 방법은 진공 분위기의 공정 챔버 내에 전구체 가스와 반응 가스를 교대로 공급하여 기판 상에 핵 생성층을 형성하는 단계; 및 상기 공정 챔버의 내부 압력이 상기 핵 생성층을 형성하는 단계에서의 압력보다 상승된 상태에서 상기 공정 챔버 내에 수소 함유 가스를 공급하여 상기 핵 생성층 내에 잔류하는 불순물을 제거하는 단계를 포함한다.
진공 분위기의 공정 챔버 내에 전구체 가스와 반응 가스를 교대로 공급하여 기판 상에 핵 생성층을 형성하는 단계; 및상기 공정 챔버의 내부 압력이 상기 핵 생성층을 형성하는 단계에서의 압력보다 상승된 상태에서 상기 공정 챔버 내에 수소 함유 가스를 공급하여 상기 핵 생성층 내에 잔류하는 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 텅스텐 박막 증착 방법.
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