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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | CN-0090610 (2016-07-20) |
공개번호 | WO-0006441 (2018-01-11) |
우선권정보 | CN-201610538743 (2016-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A thin film transistor (1), comprising an active layer (13) formed on a substrate (00). The active layer (13) comprises a first semiconductor layer (131) and a second semiconductor layer (132) arranged in a stacked manner. The material of the first semiconductor layer (131) is indium gallium zinc ox
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