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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-7012540 (2019-04-30) | |
공개번호 | 10-2019-0059314 (2019-05-30) | |
등록번호 | 10-2237782-0000 (2021-04-02) | |
우선권정보 | 독일(DE) 10 2016 119 340.2 (2016-10-11) | |
국제출원번호 | PCT/EP2017/075982 (2017-10-11) | |
국제공개번호 | WO 2018/069415 (2018-04-19) | |
번역문제출일자 | 2019-04-30 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020197012540 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-04-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 적어도 하나의 도전층 및 적어도 하나의 추가층, 특히 불활성화층 및/또는 절연층을 포함하는 센서, 특히 온도 센서를 제조하는 방법에 관련된다. 본 발명에 따르면, 도전층 및/또는 추가층, 특히 불활성화층 및/또는 절연층은 에어로졸 퇴적(에어로졸 퇴적 방법, ADM)에 의해 제조된다.
적어도 하나의 도전층 및 적어도 하나의 불활성화층 또는 절연층을 포함하는 센서를 제조하는 방법으로서,상기 적어도 하나의 불활성화층 또는 절연층은 에어로졸 퇴적(에어로졸 퇴적 방법, ADM)에 의해 제조되고,상기 에어로졸 퇴적에서, 분말로서,a) 94 중량% 이상의 기재 순도를 갖는 알파 상의 알루미늄 산화물(Al2O3);b) 94 중량% 이상의 기재 순도를 갖는 마그네슘 산화물(MgO);c) 98 중량% 이상의 기재 총 순도를 갖는 조성물 Mg2TiO5, MgTiO3, 또는 MgTi2O5의 마그네슘 티타네이트;d) 이트륨 산화물 및
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