초록 ▼

스퍼터링 타깃 (14) 을 균일하게 스퍼터링한다. 캐소드 전극 (21) 의 편면에 스퍼터링 타깃 (14) 이 배치되고, 반대측의 면에 복수 개의 자석 장치 (301,311 ∼ 314, 302) 가 평행하게 배치되어 있다. 자석 장치 (301, 311 ∼ 314, 302) 의 양단에는, 기초 자력부 (71) 가 형성하는 자계와 전자석부 (73) 가 형성하는 자계가 합성된 자계를 갖는 가변 자석 (47) 이 배치되어 있고, 전자석부 (73) 에 흐르는 여자 전류의 방향과 크기를 제어함으로써 전자석부 (73) 에 형성되는 자극의 극성과

스퍼터링 타깃 (14) 을 균일하게 스퍼터링한다. 캐소드 전극 (21) 의 편면에 스퍼터링 타깃 (14) 이 배치되고, 반대측의 면에 복수 개의 자석 장치 (301,311 ∼ 314, 302) 가 평행하게 배치되어 있다. 자석 장치 (301, 311 ∼ 314, 302) 의 양단에는, 기초 자력부 (71) 가 형성하는 자계와 전자석부 (73) 가 형성하는 자계가 합성된 자계를 갖는 가변 자석 (47) 이 배치되어 있고, 전자석부 (73) 에 흐르는 여자 전류의 방향과 크기를 제어함으로써 전자석부 (73) 에 형성되는 자극의 극성과 자계 강도를 제어하고, 스퍼터링한 성막 대상물 (13) 의 증가에 의해, 가변 자석 (47) 이 형성하는 자계 강도를 작게 하여 스퍼터면 (24) 상의 자계 강도를 일정하게 한다.

대표청구항 ▼

캐소드 전극과,상기 캐소드 전극의 편면에 배치되고, 진공조 내에 노출되는 스퍼터면이 스퍼터링되는 스퍼터링 타깃과,상기 캐소드 전극의 면 중 상기 편면과는 반대측의 면에 배치되고, 상기 스퍼터면 상에 자계를 형성하는 자석 장치가 형성된 타깃 장치를 갖고,상기 스퍼터링 타깃이 스퍼터링되면 상기 진공조 내에 위치하는 성막 대상물의 성막면에 박막이 형성되는 스퍼터링 장치로서,상기 자석 장치는, 가늘고 길며 길이 방향을 가지고 있고, 상기 길이 방향의 양단에는 각각 가변 자력부가 배치되고, 상기 가변 자력부의 사이에는 고정 자력부가 배치되고

캐소드 전극과,상기 캐소드 전극의 편면에 배치되고, 진공조 내에 노출되는 스퍼터면이 스퍼터링되는 스퍼터링 타깃과,상기 캐소드 전극의 면 중 상기 편면과는 반대측의 면에 배치되고, 상기 스퍼터면 상에 자계를 형성하는 자석 장치가 형성된 타깃 장치를 갖고,상기 스퍼터링 타깃이 스퍼터링되면 상기 진공조 내에 위치하는 성막 대상물의 성막면에 박막이 형성되는 스퍼터링 장치로서,상기 자석 장치는, 가늘고 길며 길이 방향을 가지고 있고, 상기 길이 방향의 양단에는 각각 가변 자력부가 배치되고, 상기 가변 자력부의 사이에는 고정 자력부가 배치되고,상기 고정 자력부는, 상기 길이 방향을 따라서 배치된 가늘고 긴 영구 자석으로 이루어지는 제 1, 제 2 중앙 외측부와, 상기 제 1, 제 2 중앙 외측부의 사이에 상기 길이 방향을 따라서 배치된 가늘고 긴 영구 자석으로 이루어지는 중앙 내측부를 갖고,상기 가변 자력부는, 상기 길이 방향을 따라서 배치된 가늘고 긴 영구 자석으로 이루어지는 제 1, 제 2 단 외측부와, 상기 제 1, 제 2 단 외측부의 사이에 상기 길이 방향을 따라서 배치된 복수 개의 가변 자석으로 이루어지는 단 내측부와, 상기 자석 장치의 상기 길이 방향의 양단에 위치하고, 상기 제 1, 제 2 단 외측부의 단부끼리를 접속하는 가늘고 길며 만곡한 영구 자석으로 이루어지는 접속부를 갖고,N 극과 S 극 중, 어느 일방의 극성의 자극을 제 1 극으로 하고, 타방의 극성의 자극을 제 2 극으로 하면,상기 제 1, 제 2 중앙 외측부와, 상기 제 1, 제 2 단 외측부와, 상기 접속부는, 상기 제 1 극의 자극이 상기 캐소드 전극으로 향해지고,상기 중앙 내측부와 상기 단 내측부는 상기 제 2 극의 자극이 상기 캐소드 전극으로 향해지고,상기 가변 자석은 자심부와, 상기 자심부의 주위에 감겨진 코일을 가지며, 여자 전류가 흐르면 자계를 형성하는 전자석부를 갖고,상기 가변 자석이 형성하는 자계의 방향과 강도는, 상기 여자 전류가 흐르는 방향과 크기에 의해 변경 가능하게 구성된 스퍼터링 장치.