초록 ▼

기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막 할 때에 기판의 X축 방향에서의 막질이 불균일해지는 것을 억제할 수 있도록 한 성막 방법을 제공한다. 본 발명의 성막 방법은 기판(Sw) 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실(11) 내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 서로 동심으로 대향 배치하며, 진공 분위기의 진공 처리실 내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하고, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 표적을 스퍼터링함으로써 기판 표면에

기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막 할 때에 기판의 X축 방향에서의 막질이 불균일해지는 것을 억제할 수 있도록 한 성막 방법을 제공한다. 본 발명의 성막 방법은 기판(Sw) 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실(11) 내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 서로 동심으로 대향 배치하며, 진공 분위기의 진공 처리실 내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하고, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 표적을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막한다. 타겟측에서 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서 기판단 영역 (Sa) 직하의 제 1 위치 및 X축 방향에서 기판단(Se)으로부터 타겟단을 향해 신장되는 연장 영역(Ea) 직하의 제 2 위치 중 적어도 한쪽으로부터 기판을 향해 산소 가스를 도입한다.

대표청구항 ▼

기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 성막 방법에 있어서,기판 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟을 서로 동심으로(concentrically) 대향 배치하고, 진공 분위기의 진공 처리실내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하며, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 타겟을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 것에 있어서,타겟 측으로부터 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서

기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 성막 방법에 있어서,기판 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟을 서로 동심으로(concentrically) 대향 배치하고, 진공 분위기의 진공 처리실내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하며, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 타겟을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 것에 있어서,타겟 측으로부터 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서 기판단 영역 직하의 제 1 위치 및 X축 방향에서 기판단으로부터 타겟단을 향해 신장되는 연장 영역(extension region) 직하의 제 2 위치 중 적어도 한쪽에서만 기판을 향해 산소 가스를 도입하는 공정을 포함하고,상기 기판단 영역은 기판단으로부터 이 기판의 X축 방향 길이의 10% 이하 범위에서 X축 방향 내방을 향해 신장되는 부분인 것을 특징으로 하는 성막 방법.