초록 ▼

진공 처리 중에 핫 플레이트 이외로부터 피처리 기판으로의 입열이 있는 경우에도, 피처리 기판을 소정 온도로 제어할 수 있도록 한 진공 처리 장치를 제공한다.진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버(1)와 진공 챔버 내에서 피처리 기판 (Sw)을 지지하는 스테이지(4)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스 (41)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(42)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(43)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도

진공 처리 중에 핫 플레이트 이외로부터 피처리 기판으로의 입열이 있는 경우에도, 피처리 기판을 소정 온도로 제어할 수 있도록 한 진공 처리 장치를 제공한다.진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버(1)와 진공 챔버 내에서 피처리 기판 (Sw)을 지지하는 스테이지(4)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스 (41)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(42)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(43)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 본 발명에서의 진공 처리 장치(SM)는 베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트(44)을 더욱 구비하고, 베이스와 단열 플레이트 사이에 베이스의 상면보다 높은 방사율을 가진 고 방사율층(45)을 설치한다.

대표청구항 ▼

진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와, 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지(stage)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스(base)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(chuck plate)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(hot plate)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 진공 처리 장치이며,베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트를 더

진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와, 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지(stage)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스(base)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(chuck plate)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(hot plate)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 진공 처리 장치이며,베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트를 더욱 구비하는 것에 있어서,베이스와 단열 플레이트와의 사이에 베이스의 상면보다 높은 방사율을 가지는 고 방사율층(high-emissivity layer)을 설치하고,상기 고 방사율층이 AlｘTi１-ｘN 막 (0.1≤x≤0.95)으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 장치.