[특허]캐패시터 및 캐패시터를 포함하는 반도체 소자를 제조하기 위한 방법들

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[한국특허] 캐패시터 및 캐패시터를 포함하는 반도체 소자를 제조하기 위한 방법들
methods for fabricating a capacitor and a semiconductor device including the capacitor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-049/02 H01L-021/02
출원번호	10-2021-0001055 (2021-01-05)
공개번호	10-2022-0099030 (2022-07-12)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020210001055
발명자 / 주소	남갑진 / 서울특별시 서초구 사임당로 **, 동 *호(서초동, 신동아아파트) 이영빈 / 경기도 수원시 장안구 화산로번길 -, *호(천천동, 힐링타운) 조철진 / 경기도 화성시 동탄산척로가길 (산척동) 최재형 / 경기도 화성시 동탄반석로 , *동 *호(반송동, 솔빛마을경남아너스빌아파트)
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소	리앤목특허법인
법적상태	공개

초록

캐패시터 제조 방법이 제공된다. 이 캐패시터 제조 방법은 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 유전 층을 형성하는 단계, 상기 유전 층 상에 제2 전극을 형성하는 단계, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 작동시에 인가되는 작동 전압 범위 밖의 전압을 인가하거나 작동시에 인가되는 작동 전류 범위 밖의 전류를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.

대표청구항

제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 유전 층을 형성하는 단계;상기 유전 층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 작동시에 인가되는 작동 전압 범위 밖의 전압을 인가하거나 작동시에 인가되는 작동 전류 범위 밖의 전류를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[미국] Depletion compensated polysilicon electrodes | Iyer Ravi, Tran Luan, Turner Charles L.
상세보기
[미국] Ferroelectric Capacitor With Improved Fatigue and Breakdown Properties | Khan, Mohd Adnan, Alshareef, Husam N., Odeh, Ihab N., Almadhoun, Mahmoud N.
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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