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연합인증

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반도체 패키지 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-023/367
  • H01L-021/304
  • H01L-021/306
  • H01L-021/52
  • H01L-021/56
  • H01L-021/78
  • H01L-023/373
  • H01L-023/544
출원번호 10-2021-0037228 (2021-03-23)
공개번호 10-2021-0034574 (2021-03-30)
등록번호 10-2365004-0000 (2022-02-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210037228
발명자 / 주소
  • 최재식 / 충청북도 청주시 서원구 예체로 **, ***동 ****호 (사직동, 청주푸르지오캐슬아파트)
  • 오동성 / 인천광역시 남동구 소래역로 **, ***-**** (논현동, 냇마을신영지웰아파트)
  • 고시현 / 충청북도 청주시 흥덕구 백봉로 ***, 가동 ***호 (봉명동)
출원인 / 주소
  • 매그나칩 반도체 유한회사 / 충청북도 청주시 흥덕구 직지대로***번길 ** (송정동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 정안
심사청구여부 있음 (2021-03-23)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

반도체 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다. 반도체 패키지의 제조 방법은, 금속 기판을 준비하는 단계, 상기 금속 기판 상에 미리 결정된 간격으로 반도체 다이들을 부착하는 단계, 상기 반도체 다이들 상에 본딩 필름을 부착하는 단계, 상기 반도체 다이들 및 상기 금속 기판 상에 몰드 재료를 부가하고 경화하여 몰드 부재를 형성하는 단계, 상기 몰드 부재 및 상기 금속 기판의 일부 두께를 연마하는 단계, 상기 본딩 필름을 제거하는 단계, 상기 반도체 다이들 상에 재배선 층을 부착하는 단계, 및 상기 반도체 다이들 간을 쏘잉하는 단계를 포

대표청구항

기판 상에 배치되고, 하면에 형성된 소스 전극과 게이트 전극을 포함하는 제1 반도체 다이;상기 제1 반도체 다이 측면에 배치되는 제1 몰드 부재;상기 제1 몰드 부재의 상면과 상기 제1 반도체 다이의 상면에 부착되는 금속 기판;상기 금속 기판의 상면에 형성된 제1 도금층; 및상기 소스 전극과 상기 게이트 전극에 각각 연결되는 소스 금속 패턴과 게이트 금속 패턴을 포함하고, 상기 제1 반도체 다이와 상기 제1 몰드 부재의 하면에 구비되는 재배선 층을 포함하고,상기 금속 기판은 상기 제1 반도체 다이보다 두껍게 형성되는, 반도체 패키지

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 반도체 장치 및 그 제조 방법 | 가도구치 다쿠야, 이와사키 신고, 가와시마 다카노리, 오쿠무라 도모미, 니시하타 마사요시
  2. [일본] LEADLESS PACKAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | TAHIRA YUKINORI, TANAKA MASAKAZU
  3. [미국] SEMICONDUCTOR PACKAGE | Standing,Martin
  4. [일본] SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | OTSUKA TAKUICHI
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