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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-09-14 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=b9b0a4668593432b994895f45d1cc4a6&fileSn=1&bbsId= |
○ 제한된 공간에서 대용량의 데이터를 국내외에 고속으로 송신하기 위한 수㎓대의 스마트 폰, 스마트 TV, IT정보통신용 제품과 함께 반도체, 인쇄회로기판 실장도금기술 개발이 활발하다. TSV전극은 차세대 메모리 Via Hole전극으로서 종래의 습식Cu전기도금기술을 적용하고 있다.
○ 국내외 반도체 제조사는 미세도금공정, 수율과 가격에 초점을 두고, 보다 많은 칩을 적층하고, 신호를 고속송신 할 수 있는 도금기술을 개발경쟁이 치열하다. 2011년 삼성전자는 TSV적층기술을 D램 시제품에 적용함으로써
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