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NTIS 바로가기주관연구기관 | 에이피시스템(주) |
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연구책임자 | 김영규 |
참여연구자 | 김봉수 , 주정훈 , 손현철 , 김동현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-08 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200006579 |
과제고유번호 | 1415157039 |
사업명 | 신성장동력장비경쟁력강화(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-27 |
제 1 장 서론
제 1절 과제의 개요.
최근 메모리 및 비메모리 반도체 소자의 고집적화, 고주파화, 소형화 및 저전력화의 요구에 기존 Wire bonding기반 Package공정으로는 대응이 어려워지므로 새로운 TSV (Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)기반 Package기술이 크게 요구되고 있다. (그림 1)
TSV 공정은 반도체 Chip에 수백 개 이상의 미세한 Hole를 뚫고 전도체로 채워 Chip을 관통하는 전극을 형성하고, 이를 이용해 상단 Chip과 하단 chip 또는 Chip
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